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SIR662DP-T1-GE3供应商库存(更新时间:2024-05-31 17:59)

SIR662DP-T1-GE3参数规格

功能描述:MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SIR662DP-T1-GE3价格

参考价格:5.8212

型号:SIR662DP-T1-GE3 品牌:VISHAY 说明:SIR662DP-T1-GE3多少钱,2024年最近一个月行情走势,SIR662DP-T1-GE3批发/采购报价,SIR662DP-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIR662DP-T1-GE3报价。

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