SI7102DN-T1-GE3供应商库存(更新时间:2024-06-06 10:59)
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司
联系人:周泉/刘欣,XILINX,ALTERA一级代理
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深圳市艾宇特电子科技有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
联系人:邓小姐采购原装正品认准正纳电子
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深圳市胜彬电子有限公司
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深圳市华康联电子科技有限公司
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深圳市汇莱威科技有限公司
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京海半导体(深圳)有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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SI7102DN-T1-GE3
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SI7102DN-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 12V 35A 52W 3.8mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7102DN-T1-GE3价格
参考价格:3.0960
型号:SI7102DN-T1-GE3
品牌:Vishay
说明:SI7102DN-T1-GE3多少钱,2024年最近一个月行情走势,SI7102DN-T1-GE3批发/采购报价,SI7102DN-T1-GE3行情走势销售排行榜,SI7102DN-T1-GE3报价。
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