TAJC226M006RNJ_TAJC226M006RNJ导读
N沟道增强型MOS管的结构在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。
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TAJC475M025RNJ
TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5%_。
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TAJE157M016RNJ
先讲讲MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
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NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。
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