TAJC226M020RNJ_TAJC226M020RNJ导读
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
TAJC226M020RNJ_TAJC226M020RNJ
TAJV477K010RNJ
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5%_。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
TAJC226M020RNJ_TAJC226M020RNJ
TAJB107K004RNJ
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
TAJC226M020RNJ_TAJC226M020RNJ
总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。
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