NE3509M04-A供应商库存(更新时间:2024-05-25 15:00)
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千层芯半导体(深圳)有限公司
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NE3509M04-A
CEL
2500
原厂原封
17+
原装正品
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NE3509M04-A
NEC
1958
S-Mini4P
07+/08+
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京海半导体(深圳)有限公司
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NE3509M04-A
NEC
10000
SOT
21+
原装现货假一罚十
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询价
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NE3509M04-A
CEL
19960
原厂原包
23+
只做进口原装 终端工厂免费送样
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询价
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深圳市近平电子有限公司
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NE3509M04-A
NECELECTRONI
19
面议
6000
DIP/SMD
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询价
NE3509M04-A参数规格
功能描述:射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE3509M04-A价格
参考价格:5.8344
型号:NE3509M04-A
品牌:CEL
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