NE3515S02-T1C供应商库存(更新时间:2024-05-11 14:28)
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深圳市振鑫微电子科技有限公司
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深圳企栗科技有限公司
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深圳市达恩科技有限公司
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NE3515S02-T1C参数规格
功能描述:射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE3515S02-T1C-A价格
参考价格:6.9323
型号:NE3515S02-T1C-A
品牌:CEL
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