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BSM200GA170DN2参数规格
功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 290A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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BSP149H6327
发布时间:2023-04-10
BSP170PH6327XTSA1INFINEON/英飞凌SOT223现货供应
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发布时间:2022-07-25
IGBT模块BSM15GP120FP15R12KT3G
发布时间:2021-12-28
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BSH114
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Yes
PartLifeCycleCode:
Transferred
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PHILIPSSEMICONDUCTORS
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unknown
ECCNCode:
EAR99
Manufacturer:
PhilipsSemi
发布时间:2021-07-02