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ZXM63N02E6供应商库存（更新时间：2026-02-18 16:16）

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深圳市川科科技有限公司

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联系人：刘先生

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手机：13147005145

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地址：深圳市福田区福田街道深南中路3037号南光捷佳大厦2418
ZXM63N02E6TA
DIODES-美台
78800
SOT-163
24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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深圳市南科功率半导体有限公司

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联系人：柯经理

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地址：深圳市福田区华强北新华强H4C003
ZXM63N02E6TA
NK/南科功率
986966
SOT-23-6
2025+
国产
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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ZXM63N02E6TA
DIODES/美台
11200
SOT-23-6
23+
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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深圳市河锋鑫科技有限公司

深圳市河锋鑫科技有限公司

联系人：杨佳河

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手机：13652326683

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ZXM63N02E6TA
Diodes
9000
SOT236
22+
原厂渠道,现货配单
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深圳市高捷芯城科技有限公司

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联系人：肖先生

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地址：深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10层
ZXM63N02E6TA
Diodes Incorporated
6843
SOT-23-6
25+
样件支持,可原厂排单订货!
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深圳市得捷芯城科技有限公司

深圳市得捷芯城科技有限公司

联系人：肖先生

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手机：19076157484

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地址：深圳市福田区福田街道福虹路9号世贸广场A座5层
ZXM63N02E6TA
Diodes Incorporated
6895
SOT-23-6
25+
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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ZXM63N02E6参数规格

功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6 RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件