VND05B-11-E供应商库存(更新时间:2025-10-25 17:16)
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VND05B-11-E
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VND05B-11-E
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VND05B-11-E
STMicroelectronics
66800
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VND05B-11-E
ST
6000
HEPTAWATTMONOFRAME
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VND05B-11-E
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VND05B-11-E
ST/意法
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深圳市科雨电子有限公司
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VND05B-11-E
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VND05B-11-E参数规格
功能描述:功率驱动器IC DOUBLE Ch HiSide SmartPwr SOLID STATE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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