VB10150S-E3
Vishay
威世科技公司
High efficiency operation
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ISC
无锡固电半导体股份有限公司
Schotty Barrier Diode
VB10150S-E3/4W
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VB10150S-E3/8W
VB10150S-E3SLASH4W
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Vishay General Semiconductor -
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深圳市诺美思科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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