NPN SiGe RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)
IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (1007 PACKAGE)
FEATURES
• 2 different built-in transistors (NESG2046M33, NESG2107M33)
Q1: High gain SiGe transistor
fT = 18 GHz TYP., S21e2 = 13 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz
Q2: Low phase distortion SiGe transistor suited for OSC applications
fT = 10 GHz TYP., S21e2 = 9 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
• 6-pin super lead-less minimold (1007 package)
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