ULN2003ADG4供应商库存(更新时间:2025-06-04 16:52)
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深圳市宝芯创电子有限公司
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深圳市欧立现代科技有限公司
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深圳市恒达亿科技有限公司
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深圳市毅创腾电子科技有限公司
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深圳市英卓尔科技有限公司
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深圳市惊羽科技有限公司
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深圳市金嘉锐电子有限公司
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深圳市兴灿科技有限公司
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深圳市宇创芯科技有限公司
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万三科技(深圳)有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市科雨电子有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市勤思达科技有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市科雨电子有限公司
联系人:卢小姐
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ULN2003ADG4参数规格
功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
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