TSM12N65CI供应商库存(更新时间:2025-04-29 11:00)
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TSM12N65CI
TSC/台湾半导体
32500
TO-220
20+
现货很近!原厂很远!只做原装
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TSM12N65CI
TSC/台湾半导体
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TO-220
2022+
原厂代理 终端免费提供样品
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TSM12N65CIC0
TSC
25000
TO-220
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TSM12N65CI
POWER/拓普
69820
SOIC-8
23+
终端可以免费供样,支持BOM配单!
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TSM12N65CI
TSC/台湾半导体
32500
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TSM12N65CI
TSC/台湾半导体
32500
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TSM12N65CI
TSC/台湾半导体
30000
TO-220
2022+
进口原装现货供应,原装 假一罚十
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TSM12N65CI参数规格
功能描述:MOSFET 650V 6A N Channel Power Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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