Features
● Low VCE(SAT) -0.15 @ IC / IB = --.5A / -50mA (Typ.)
● Excellent DC current gain characteristics
Structure
● Epitaxial Planar Type
● PNP Silicon Transistor
TI/德州仪器
30000
TQFP
TI
320
QFP
TSC/台湾半导体
50000
SOT-89
TI
8560
TQFP100
TSC
6500
TO252
TSC/台湾半导体
9600
SOT-89
TI
7
QFP
TI(德州仪器)
20000
LQFP-100(14x14)
TI/德州仪器
11200
TQFP
TI
1983
TI
6868
TQFP
TexasInstruments
7500
ICLINKLAYERCONTROLLER100
TI
8000
TQFP100
TI
32500
原厂封装