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内部开关的低 RDS(ON):680mΩ输入范围: 12V-60V350kHz 开关频率1.2A MOSFET 峰值电流限制模拟/PWM 调光可用低于 0.5% 的深度调光水平高温降电流调光电阻调整输出满载符合 RoHS 且无卤素紧凑的封装: SO8E
发布时间:2021-09-10500kHz 开关频率集成低 RDS(ON) FET:200mΩPWM 信号/模拟信号模拟调光最大输出 LED 电流 1.2A紧凑的封装: SO8E
发布时间:2021-09-10500kHz 开关频率集成低 RDS(ON) FET:200mΩPWM 信号/模拟信号模拟调光最大输出 LED 电流 2A紧凑的封装: SO8E
发布时间:2021-09-10内置低导通电阻开关(PFET / NFET):125mΩ/100mΩ内部软启动可100%占空比工作符合RoHS标准且无卤素紧凑型封装:DFN2x1.5-8
发布时间:2021-08-17