联系人：杨梦琪
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地址：深圳市福田区华强北街道华航社区华强北路1005、1007、1015号华强电子世界2号楼2层22C081
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发布时间：2021-09-08内部FET的低RDS(on)：NFET为55mohm，PFET为85mohm。使用小电感器实现高达85%的效率硬件闪存模式启用(FLEN)射频功率放大器脉冲事件(TX)的同步输入硬件手电筒模式启用(TORCH/TEMP)在电池电量不足的情况下优化闪光灯LED电流(IVFM)远程NTC监控(TORCH/TEMP)400kHz
发布时间：2021-09-08内置低导通电阻开关：40/30mΩ1MHz开关频率最大程度地减小外部元件尺寸外部可调软启动限制浪涌电流可100％占空比工作电源正常指示器符合RoHS标准且无卤素紧凑型封装：DFN3x3-10
发布时间：2021-08-16内部软启动限制浪涌电流可100％占空比工作电源正常指示器可靠的自锁式保护：--输出欠压--热关断-输出电压超过调节电压的120％时输出自放电功能符合RoHS标准且无卤素紧凑型封装：SOT23-6
发布时间：2021-08-12内部软启动限制浪涌电流强制PWM模式可100％占空比工作打隔式短路保护电源正常指示器输出自放电功能符合RoHS标准且无卤素紧凑型封装：SOT23-6
发布时间：2021-08-10
