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发布时间：2021-09-08内部FET的低RDS(on)：NFET为55mohm，PFET为85mohm。使用小电感器实现高达85%的效率硬件闪存模式启用(FLEN)射频功率放大器脉冲事件(TX)的同步输入硬件手电筒模式启用(TORCH/TEMP)在电池电量不足的情况下优化闪光灯LED电流(IVFM)远程NTC监控(TORCH/TEMP)400kHz
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发布时间：2021-08-12内部软启动限制浪涌电流强制PWM模式可100％占空比工作打隔式短路保护电源正常指示器输出自放电功能符合RoHS标准且无卤素紧凑型封装：SOT23-6
发布时间：2021-08-10
