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地址：深圳市福田区华强北上步工业区101栋西座520
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发布时间：2021-11-04原边 CV/CC 控制消除了光耦合器原边 MOSFET 的谷值导通以实现低开关损耗低启动电流：典型值为 15μA最大开关频率限制 120kHz紧凑型封装：SO8
发布时间：2021-09-15集成 200V MOSFET原边 CV/CC 控制消除了光耦合器原边 MOSFET 的谷值导通以实现低开关损耗低启动电流：典型值为 15μA最大开关频率限制 120kHz紧凑型封装：SO8
发布时间：2021-09-15集成 350V MOSFET与前沿/后沿调光器兼容集成 350V MOSFET功率因数 >0.7高达 84% 的高效率全贴片工艺消除磁性元件紧凑的封装：SO8E
发布时间：2021-08-30集成 350V MOSFET与前沿/后沿调光器兼容集成 350V MOSFET功率因数 >0.7高达 84% 的高效率全贴片工艺消除磁性元件紧凑的封装：SO8E
发布时间：2021-08-30
