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原边CV/CC控制消除了光耦合器原边MOSFET的谷值导通以实现低开关损耗低启动电流：典型值为15μA最大开关频率限制120kHz紧凑型封装：SO8
发布时间：2021-09-15集成200VMOSFET原边CV/CC控制消除了光耦合器原边MOSFET的谷值导通以实现低开关损耗低启动电流：典型值为15μA最大开关频率限制120kHz紧凑型封装：SO8
发布时间：2021-09-15集成350VMOSFET与前沿/后沿调光器兼容集成350VMOSFET功率因数>0.7高达84%的高效率全贴片工艺消除磁性元件紧凑的封装：SO8E
发布时间：2021-08-30集成350VMOSFET与前沿/后沿调光器兼容集成350VMOSFET功率因数>0.7高达84%的高效率全贴片工艺消除磁性元件紧凑的封装：SO8E
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