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发布时间：2021-09-15集成 200V MOSFET适宜QR 模式和 PWM/PFM 控制提高平均效率最大开关频率限制 300kHz低启动电流：最大 4μA内部 CC/CV 环路补偿采用可靠的 OVP、SCP、OTP 保护紧凑型封装：SO8
发布时间：2021-09-15PWM/PFM 控制以实现高平均效率快速动态负载瞬态响应电缆补偿以实现更好的负载调节低启动电流：最大5μA最低频率限制 500Hz空载功率小于 50mW可靠的OVP、SCP、OTP、OCP保护安全要求的可靠保护最大开关频率限制72kHz集成 650V/4.4Ω MOSFET符合 RoHS 且无卤素紧凑的封装：SO8
发布时间：2021-08-27PWM/PFM 控制以实现高平均效率快速动态负载瞬态响应电缆补偿以实现更好的负载调节低启动电流：最大 5μA最低频率限制 500Hz空载功率小于 75mW可靠的OVP、SCP、OTP、OCP保护安全要求的可靠保护最大开关频率限制125kHz集成 800V 双极 NPN 晶体管符合 RoHS 且无卤素紧凑的封装：
发布时间：2021-08-27
