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高压启动电路集成PWM/PFM控制以提高平均效率内部CC/CV环路补偿最大开关频率限制200kHz驱动源/灌电流：160mA/750mA低启动电流：3μA（最大值）可靠的OVP、SCP、OTP保护符合RoHS且无卤素紧凑型封装：SO8
发布时间：2021-09-15集成200VMOSFET适宜QR模式和PWM/PFM控制提高平均效率最大开关频率限制300kHz低启动电流：最大4μA内部CC/CV环路补偿采用可靠的OVP、SCP、OTP保护紧凑型封装：SO8
发布时间：2021-09-15PWM/PFM控制以实现高平均效率快速动态负载瞬态响应电缆补偿以实现更好的负载调节低启动电流：最大5μA最低频率限制500Hz空载功率小于50mW可靠的OVP、SCP、OTP、OCP保护安全要求的可靠保护最大开关频率限制72kHz集成650V/4.4ΩMOSFET符合RoHS且无卤素紧凑的封装：SO8
发布时间：2021-08-27PWM/PFM控制以实现高平均效率快速动态负载瞬态响应电缆补偿以实现更好的负载调节低启动电流：最大5μA最低频率限制500Hz空载功率小于75mW可靠的OVP、SCP、OTP、OCP保护安全要求的可靠保护最大开关频率限制125kHz集成800V双极NPN晶体管符合RoHS且无卤素紧凑的封装：
发布时间：2021-08-27
