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发布时间：2021-09-15集成 350V MOSFET与前沿/后沿调光器兼容集成 350V MOSFET功率因数 >0.7高达 84% 的高效率全贴片工艺消除磁性元件紧凑的封装：SO8E
发布时间：2021-08-30集成 350V MOSFET与前沿/后沿调光器兼容集成 350V MOSFET功率因数 >0.7高达 84% 的高效率全贴片工艺消除磁性元件紧凑的封装：SO8E
发布时间：2021-08-30
