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SUD35N10-26P-T4GE3供应商库存（更新时间：2025-07-21 16:49）

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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深圳市科雨电子有限公司

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深圳市南科功率半导体有限公司

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SUD35N10-26P-T4GE3参数规格

功能描述:MOSFET N-CH D-S 100V TO252 RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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SUD35N10-26P-T4GE3
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Vishay Siliconix
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