STI11NM80供应商库存(更新时间:2025-10-27 11:10)
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STI11NM80
ST/意法
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STI11NM80
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326
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STI11NM80
ST/意法半导体
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STI11NM80
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STI11NM80
ST-意法半导体
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TO-262-3
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STI11NM80
ST/意法半导体
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STI11NM80
ST/意法半导体
11000
原厂封装
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STI11NM80
STM
326
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STI11NM80参数规格
功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.35 Ohm 11 A MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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STI11NM80
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STMICROELECTRONICS
意法半导体集团
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N-channel 800 V, 0.35 Ω, 11 A MDmesh™ Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247
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