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STGW35NB60SD供应商库存(更新时间:2026-03-01 20:00)

STGW35NB60SD参数规格

功能描述:IGBT 晶体管 N Ch 35A 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

STGW35NB60SD价格

参考价格:18.3368

型号:STGW35NB60SD 品牌:STMicroelectronics 说明:STGW35NB60SD多少钱,2026年最近一个月行情走势,STGW35NB60SD批发/采购报价,STGW35NB60SD行情走势销售排行榜,STGW35NB60SD报价。

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