STGP12NB60HD供应商库存(更新时间:2026-02-28 23:00)
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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STGP12NB60HD
STMicroelectronics
18798
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STGP12NB60HD
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18746
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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STGP12NB60HD
STMicroelectronics
18798
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25+
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STGP12NB60HD
ST-意法半导体
78800
TO-220-3
24+25+/26+27+
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STGP12NB60HD
ST
9000
TO220AB
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STGP12NB60HD
ST
8000
TO220AB
23+
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STGP12NB60HD
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9000
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STGP12NB60HD
ST
8795
TO-220
26+
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STGP12NB60HD
ST/意法
96738
TO220
22+
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STGP12NB60HD参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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