STD12N10T4G供应商库存(更新时间:2025-04-30 16:16)
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深圳市惊羽科技有限公司
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STD12N10T4G
ON-安森美
78800
TO-252-3
24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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深圳市安富世纪电子有限公司
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STD12N10T4G
ON Semiconductor
8000
23+
只做原装现货
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深圳市创新迹电子有限公司
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STD12N10T4G
O
25000
DPAK
22+
只做原装进口现货,专注配单
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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STD12N10T4G
ON Semiconductor
13880
21+
公司只售原装,支持实单
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询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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STD12N10T4G
ON Semiconductor
9000
22+
原厂渠道,现货配单
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深圳市河锋鑫科技有限公司
联系人:杨佳河
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STD12N10T4G
ON Semiconductor
9000
22+
原厂渠道,现货配单
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深圳和润天下电子科技有限公司
联系人:彭先生
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STD12N10T4G
ON/安森美
23737
DPAK
22+
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深圳市吉铭电子科技有限公司
联系人:廖小姐
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STD12N10T4G
ON Semiconductor
63880
21+
本公司只售原装 支持实单
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询价
STD12N10T4G参数规格
功能描述:MOSFET N-CH SPCL 100V DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:* 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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发布时间:2023-06-05
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发布时间:2023-06-05
STD25NF10LA
发布时间:2023-02-23
全新原装现货支持第三方机构验证
发布时间:2022-06-07
STC8H1K17-36I-QFN20
发布时间:2021-10-29
製造商:STMicroelectronics
產品類型:MOSFET
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝/外殼:TO-252-3
晶體管極性:N-Channel
通道數:1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓:100V
Id-C連續漏極電流:25A
RdsOn-漏-源電阻:35mOhms
Vgs-閘極-源極電壓:-20V,+20V
Vgsth-門源門限電壓:4.5V
发布时间:2021-06-09