STB11NM65N供应商库存(更新时间:2026-03-01 15:41)
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STB11NM65N
SST
9800
原厂封装
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STB11NM65N
ST/意法
50000
TO-220
23+
全新原装正品现货,支持订货
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STB11NM65N
ST/意法
50000
TO-220
23+
全新原装正品现货,支持订货
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深圳市安富世纪电子有限公司
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STB11NM65N
ADI
8000
TO-220
23+
只做原装现货
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深圳市威尔健半导体有限公司
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STB11NM65N
ST/意法
50
TO-220
23+
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STB11NM65N参数规格
功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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