■DESCRIPTION
SMC2207E is the P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced trench technology devices are well suited for high efficiency fast switching applications, low in-line power loss needed in small outline surface mount package.
■FEATURES
VDS = -20V, ID = -0.6A
RDS(ON) =450mΩ(Typ.)@VGS = -4.5V
RDS(ON) =630mΩ(Typ.)@VGS = -2.5V
RDS(ON) =850mΩ(Typ.)@VGS = -1.8V
RDS(ON) =1060mΩ(Typ.)@VGS = -1.5V
RDS(ON) =1700mΩ(Typ.)@VGS = -1.2V
◆Fast switch
◆1.2V Low gate drive applications
◆Improved dv/dt capability
■APPLICATIONS
◆Hend-Held Instruments
◆Load Switch
◆Battery Protection
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75000
N/A
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XUNPU
100
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SOP16
30000
10
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Semitehelec
25836
SOT-23
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SEMTRON
20000
SOT-23L
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SEMITEH ELEC
45000
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SMC
1
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SEMTRON
18800
SOT-23L
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Semitehelec
18000
SOT-23
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5000
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SEMTRON
11200
SOT-23L
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9600
SOT-363
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32606
SOT-23
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36800
SOT-23
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SEMTRON
120000
SOT-23
SMC30J10A 封装DO-214AB-2 二极管TVS ST 批次22+ 电子元器件配单
发布时间：2023-07-04
