SAMSUNG(三星半导体)
7350
MIT
1500
NA/
HITACHI
80000
SMD
JST/日压
30000
SMD
INTEL/英特尔
880000
QFN
HITACHI/日立
990000
NA
JST
12000
NA
JST/日压
11200
NA
HITACHI
5632
JST
55000
NA
JST/日压
209858
原厂封装
JST-日压
12680
车规-连接器-
NA
26094
NA
SAMSUNG-三星
1780
车规-电源模块
ROHM-罗姆
18800
车规-LED.贴片