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SISS27DN-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-04-27 23:00)

SISS27DN-T1-GE3参数规格

功能描述:MOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:P-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:50 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):5.6 mOhms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8 封装:Reel

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