SIS890DN-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-09-28 18:20)
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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瀚佳科技(深圳)有限公司
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深圳市科芯源微电子有限公司
联系人:林佳伟
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易创佳业科技(深圳)有限公司
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万三科技(深圳)有限公司
联系人:阮海燕
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联系人:马总
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联系人:肖先生
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SIS890DN-T1-GE3
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SIS890DN-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIS890DN-T1-GE3价格
参考价格:3.4673
型号:SIS890DN-T1-GE3
品牌:VISHAY
说明:SIS890DN-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SIS890DN-T1-GE3批发/采购报价,SIS890DN-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIS890DN-T1-GE3报价。
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