SIS413DN-T1供应商库存(更新时间:2025-12-25 23:01)
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VISHAY/威世
1701
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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SIS413DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
9908
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CCSEMI/芯能圆
3000
NA/
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VISHAY/威世
100000
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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VISHAY/威世
20000
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深圳市富达微科技有限公司
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Vishay
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深圳市凌旭科技有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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Vishay(威世)
20094
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深圳市昂芯微科技有限公司
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市中联芯电子有限公司
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深圳市川科科技有限公司
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SIS413DN-T1参数规格
功能描述:MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:P-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:18 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):9.4 mOhms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8 封装:Reel
SIS413DN-T1-GE3价格
参考价格:1.2842
型号:SIS413DN-T1-GE3
品牌:Vishay
说明:SIS413DN-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SIS413DN-T1-GE3批发/采购报价,SIS413DN-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIS413DN-T1-GE3报价。
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