SIRA04DP-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-05-19 18:43)
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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深圳市俊晖半导体有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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深圳市润联芯城科技有限公司
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深圳市宏誉半导体有限公司
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深圳市百域芯科技有限公司
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深圳市云美电子科技有限公司
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司
联系人:蔡蔡
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深圳市惊羽科技有限公司
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人:吴经理
电话:18138401919
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深圳市中联芯电子有限公司
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SIRA04DP-T1-GE3
Vishay
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SIRA04DP-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIRA04DP-T1-GE3价格
参考价格:3.4272
型号:SIRA04DP-T1-GE3
品牌:Vishay
说明:SIRA04DP-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SIRA04DP-T1-GE3批发/采购报价,SIRA04DP-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIRA04DP-T1-GE3报价。
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