SIRA02DP-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-05-19 23:00)
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市湘达电子科技有限公司
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SIRA02DP-T1-GE3
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SIRA02DP-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 30V 2mOhm@10V 50A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIRA02DP-T1-GE3价格
参考价格:5.1008
型号:SIRA02DP-T1-GE3
品牌:VISHAY
说明:SIRA02DP-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SIRA02DP-T1-GE3批发/采购报价,SIRA02DP-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIRA02DP-T1-GE3报价。
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