SIR876DP-T1-GE3供应商库存(更新时间:2024-06-15 18:06)
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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SIR876DP-T1-GE3
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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深圳市德创芯微科技有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
联系人:朱先生
电话:15507540751
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市华来深电子有限公司
联系人:朱先生 /林小姐
电话:0755-83238902
手机:13751106682
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深圳市科雨电子有限公司
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深圳市科雨电子有限公司
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SIR876DP-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 100V 40A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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