SIR872DP-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-05-01 13:30)
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中天科工半导体(深圳)有限公司
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深圳市宏兴瑞科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市赛能新源半导体有限公司
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深圳市中福国际管理有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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千层芯半导体(深圳)有限公司
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地址:深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路109号华康大院2栋2层216-1
SIR872DP-T1-GE3
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千层芯半导体(深圳)有限公司
联系人:罗先生,张先生,吴小姐
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地址:深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路109号华康大院2栋2层216-1
SIR872DP-T1-GE3
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25000
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SIR872DP-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 150V 18mOhm@10V 60A N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR872DP-T1-GE3价格
参考价格:6.9323
型号:SIR872DP-T1-GE3
品牌:VISHAY
说明:SIR872DP-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SIR872DP-T1-GE3批发/采购报价,SIR872DP-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIR872DP-T1-GE3报价。
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