SIR836DP-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-05-01 14:10)
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司
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深圳市长旗科技有限公司
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深圳市向鸿伟业电子有限公司
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深圳市勤思达科技有限公司
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深圳市中联芯电子有限公司
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现代芯城(深圳)科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市中福国际管理有限公司
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深圳市中福国际管理有限公司
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SIR836DP-T1-GE3
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SIR836DP-T1-GE3
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原装正品 可支持验货,欢迎咨询
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SIR836DP-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR836DP-T1-GE3价格
参考价格:1.7979
型号:SIR836DP-T1-GE3
品牌:Vishay
说明:SIR836DP-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SIR836DP-T1-GE3批发/采购报价,SIR836DP-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIR836DP-T1-GE3报价。
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