SIR770DP-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-04-29 10:38)
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中天科工半导体(深圳)有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
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9908
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深圳市坤融电子科技有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
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深圳市中福国际管理有限公司
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深圳市中福国际管理有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
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SIR770DP-T1-GE3
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深圳瞄钧科技有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
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深圳市中联芯电子有限公司
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SiR770DP-T1-GE3
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深圳市东来宝电子科技有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
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深圳市正纳电子有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
Vishay(威世)
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京海半导体(深圳)有限公司
联系人:熊小姐★★原厂授权一级分销★★
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SIR770DP-T1-GE3
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深圳市威尔健半导体有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
V1SHAY
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海芯未来半导体电子(深圳)有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
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深圳市华康联电子科技有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
Vishay(威世)
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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深圳市科雨电子有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
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深圳市安富世纪电子有限公司
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天津市博通航睿技术有限公司
联系人:马总
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地址:天津市南开区科研西路12号356室
SIR770DP-T1-GE3
VISHAY/威世
7000
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中科国际电子(深圳)有限公司
联系人:李小姐
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SIR770DP-T1-GE3
Vishay(威世)
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深圳市金芯世纪电子有限公司
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SIR770DP-T1-GE3
VISHAY/威世
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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手机:19076157484
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SIR770DP-T1-GE3
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SIR770DP-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR770DP-T1-GE3价格
参考价格:3.0707
型号:SIR770DP-T1-GE3
品牌:Vishay
说明:SIR770DP-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SIR770DP-T1-GE3批发/采购报价,SIR770DP-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIR770DP-T1-GE3报价。
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