SIR662DP-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-08-21 10:34)
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深圳市欧立现代科技有限公司
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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深圳市英博尔电子有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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深圳市中联芯电子有限公司
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深圳市中联芯电子有限公司
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深圳市向鸿伟业电子有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
联系人:朱先生
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深圳市华康联电子科技有限公司
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京海半导体(深圳)有限公司
联系人:李先生★★原厂授权一级分销★★
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市天芯威科技有限公司
联系人:雷先生
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地址:深圳市福田区华强北上步工业区304栋西座406室
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深圳市芯泽盛世科技有限公司
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司
联系人:朱先生
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SIR662DP-T1-GE3
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人:吴经理
电话:18138401919
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地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
SIR662DP-T1-GE3
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深圳市威尔健半导体有限公司
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SIR662DP-T1-GE3
V1SHAY
50000
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SIR662DP-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR662DP-T1-GE3价格
参考价格:5.8212
型号:SIR662DP-T1-GE3
品牌:VISHAY
说明:SIR662DP-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SIR662DP-T1-GE3批发/采购报价,SIR662DP-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIR662DP-T1-GE3报价。
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