SIR412DP-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-05-04 17:06)
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深圳市汇莱威科技有限公司
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深圳市金芯世纪电子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
联系人:肖先生
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地址:深圳市福田区福田街道福虹路9号世贸广场A座5层
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深圳市华康联电子科技有限公司
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SIR412DP-T1-GE3
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市宏兴瑞科技有限公司
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SIR412DP-T1-GE3
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SIR412DP-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 25V 20A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR412DP-T1-GE3价格
参考价格:1.9137
型号:SIR412DP-T1-GE3
品牌:Vishay
说明:SIR412DP-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SIR412DP-T1-GE3批发/采购报价,SIR412DP-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIR412DP-T1-GE3报价。
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