SIJ800DP供应商库存(更新时间:2025-08-18 23:01)
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SIJ800DP-T1-GE3
VISHAY
30000
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23
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SIJ800DP-T1-GE3
VISHAY
30000
SO-8L
23+
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SIJ800DP-T1-GE3
VISHAY-威世
36218
SMD-8.贴片
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Vishay Siliconix
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SIJ800DPT1GE3
Vishay Siliconix
9000
PowerPAK? SO8
22+
原厂渠道,现货配单
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深圳市博中泰实业有限公司
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SIJ800DP-T1-GE3
VISHAY/威世
60000
SO-8L
24+
全新原装现货
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SIJ800DP-T1-GE3
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SIJ800DP-T1-GE3
VISHAY
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DFN-8
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SIJ800DP参数规格
功能描述:MOSFET 40V 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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