SIHB30N60E-GE3供应商库存(更新时间:2025-07-25 12:20)
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SIHB30N60E-GE3
VISHAY/威世
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SIHB30N60E-GE3
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只做原装进口现货,专注配单
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进口原装正品优势供应
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十年配单,只做原装
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SIHB30N60E-GE3
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SIHB30N60E-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIHB30N60E-GE3价格
参考价格:19.6466
型号:SIHB30N60E-GE3
品牌:Vishay
说明:SIHB30N60E-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SIHB30N60E-GE3批发/采购报价,SIHB30N60E-GE3行情走势销售排行榜,SIHB30N60E-GE3报价。
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SIHB30N60E-GE3
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威世科技半导体
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