SIHB12N65E供应商库存(更新时间:2025-06-14 16:16)
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SIHB12N65E
VISHAY-威世
78800
TO-263-3
24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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SiHB12N65E
VISHAY/威世
7500
TO-263
20+
现货很近!原厂很远!只做原装
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深圳市创新迹电子有限公司
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SIHB12N65E
VISHAY/威世
30000
TO-263
2022+
进口原装现货供应,原装 假一罚十
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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SiHB12N65E
VISHAY/威世
50000
TO-263
2022+
原厂代理 终端免费提供样品
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询价
SIHB12N65E参数规格
功能描述:MOSFET 650V 392mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:700 V 闸/源击穿电压:20 V 漏极连续电流:12 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.392 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:D2PAK-3 封装:Bulk
SIHB12N65E-GE3价格
参考价格:8.4803
型号:SIHB12N65E-GE3
品牌:VISHAY
说明:SIHB12N65E-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SIHB12N65E-GE3批发/采购报价,SIHB12N65E-GE3行情走势销售排行榜,SIHB12N65E-GE3报价。
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威世科技半导体
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