SIE854DF-T1-E3供应商库存(更新时间:2025-05-11 23:00)
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SIE854DF-T1-E3
Vishay(威世)
7548
标准封装
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SIE854DF-T1-E3
VISHAY/威世
6852
DFN
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SIE854DF-T1-E3
VISHAY/威世
160
DFN
21+
原装现货假一赔十
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SIE854DF-T1-E3
VISHAY
25
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20+
进口原装现货,假一赔十
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SIE854DF-T1-E3
Vishay(威世)
6000
Original
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原装,渠道供应
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SIE854DF-T1-E3
Vishay(威世)
50000
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只做原装优势现货库存,渠道可追溯
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VISHAY
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SIE854DF-T1-E3
VISHAY/威世
15000
DFN
23+
一级代理原装现货
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SIE854DF-T1-E3
VISHAY
4694
DFN
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SIE854DF-T1-E3
VISHAY
3000
10-PAK
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3000
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20+
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SIE854DF-T1-E3参数规格
功能描述:MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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