SI8812DB-T2-E1供应商库存(更新时间:2024-05-24 23:07)
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中天科工半导体(深圳)有限公司
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VISHAY/威世
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深圳市跃创芯科技有限公司
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深圳市科雨电子有限公司
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SI8812DB-T2-E1参数规格
功能描述:MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI8812DB-T2-E1价格
参考价格:0.8548
型号:SI8812DB-T2-E1
品牌:Vishay
说明:SI8812DB-T2-E1多少钱,2024年最近一个月行情走势,SI8812DB-T2-E1批发/采购报价,SI8812DB-T2-E1行情走势销售排行榜,SI8812DB-T2-E1报价。
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