SI8469DB-T2-E1供应商库存(更新时间:2024-05-28 22:30)
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SI8469DB-T2-E1参数规格
功能描述:MOSFET 8V 4.6A 1.8W 64mOhms @ 4.5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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参考价格:0.8211
型号:SI8469DB-T2-E1
品牌:Vishay
说明:SI8469DB-T2-E1多少钱,2024年最近一个月行情走势,SI8469DB-T2-E1批发/采购报价,SI8469DB-T2-E1行情走势销售排行榜,SI8469DB-T2-E1报价。
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原厂原装正品现货价格优势有单必成
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发布时间:2021-09-15