SI8435DB-T1-E1供应商库存(更新时间:2025-11-17 17:05)
-
深圳市佳鑫美电子科技有限公司
联系人:谷小姐
电话:0755-83243024/83243112
手机:13392875378
QQ:
地址:深圳市福田区华强北路华联发综合楼822室
SI8435DB-T1-E1
Vishay
2568
MICRO-4
25+
原装优势!绝对公司现货
-
询价
-
深圳市一线半导体有限公司
联系人:云小姐/廖小姐
电话:0755-83789203 18165726413
手机:19168775913
QQ:
地址:深圳市福田区福田街道福华社区福虹路4号华强花园C座7A
SI8435DB-T1-E1
Vishay/Siliconix
7500
Microfet2x2
24+
-
询价
-
京海半导体(深圳)有限公司
联系人:李先生★★原厂授权一级分销★★
电话:18948176968
手机:18948176968
QQ:
地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海大厦C栋706
SI8435DB-T1-E1
VISHAY/威世
10000
MICRO-4
21+
原装现货假一罚十
-
询价
-
深圳市科雨电子有限公司
联系人:周小姐
电话:171-4755-1968
手机:17147551968
QQ:
地址:深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2418室
SI8435DB-T1-E1
VISHAY
3000
4-BGA
25+
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
-
询价
-
深圳市科雨电子有限公司
联系人:刘小姐
电话:13352995145
手机:13352995145
QQ:
地址:深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2418室
SI8435DB-T1-E1
VISHAY
3000
4-BGA
25+
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
-
询价
SI8435DB-T1-E1参数规格
功能描述:MOSFET 20V 10A 6.25W 41mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
-
SI8435DB-T1-E1
-
Vishay
-
Vishay
MICRO-4
-
查看库存
-
资料下载
-
SI8435DB-T1-E1
-
Vishay
-
VISHAY/威世
MICRO-4
-
查看库存
-
资料下载
SI8435DB-T1-E1相关新闻
SI8622BB-B-ISR
发布时间:2022-10-18
SI8423BB-D-ISR
发布时间:2022-10-18
原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
发布时间:2022-04-19
https://hfx03.114ic.com/
发布时间:2022-03-15
https://hfx03.114ic.com/
发布时间:2022-03-15