SI7456DP-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-07-30 23:00)
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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深圳市中联芯电子有限公司
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深圳市华康联电子科技有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
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海芯未来半导体电子(深圳)有限公司
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天津市博通航睿技术有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市航润创能电子集团有限公司
联系人:朱小姐
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深圳市博中泰实业有限公司
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SI7456DP-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7456DP-T1-GE3价格
参考价格:4.3063
型号:SI7456DP-T1-GE3
品牌:Vishay
说明:SI7456DP-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SI7456DP-T1-GE3批发/采购报价,SI7456DP-T1-GE3行情走势销售排行榜,SI7456DP-T1-GE3报价。
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SI7456DP-T1-GE3相关新闻
SI8220DB-D-ISR
发布时间:2023-04-03
SI7454DDP-T1-GE3
发布时间:2022-07-13
SI7216DN-T1-E3
发布时间:2022-05-18
www.hfxcom.com
发布时间:2022-02-16
www.hfxcom.com
发布时间:2022-02-14
www.hfxcom.com
发布时间:2021-10-18