SI5936DU-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-11-14 20:00)
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深圳市博中泰实业有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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现代芯城(深圳)科技有限公司
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SI5936DU-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 30V 6.0A 10.4W 30mOhm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5936DU-T1-GE3价格
参考价格:1.4554
型号:SI5936DU-T1-GE3
品牌:Vishay
说明:SI5936DU-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SI5936DU-T1-GE3批发/采购报价,SI5936DU-T1-GE3行情走势销售排行榜,SI5936DU-T1-GE3报价。
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